#1 |
数量:385 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
|
规格书 |
IPP,IPS12CN10L G |
文档 |
Multiple Devices 26/Jul/2012 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 69A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 11.8 mOhm @ 69A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.4V @ 83µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 58nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 5600pF @ 50V |
功率 - 最大 | 125W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 69A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.4V @ 83µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
标准包装 | 1,500 |
供应商设备封装 | PG-TO251-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 11.8 mOhm @ 69A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 125W |
封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 5600pF @ 50V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 58nC @ 10V |
工厂包装数量 | 1500 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 69 A |
系列 | IPS12CN10 |
安装风格 | Through Hole |
RDS(ON) | 11.8 mOhms |
功率耗散 | 125 W |
最低工作温度 | - 55 C |
典型关闭延迟时间 | 39 ns |
零件号别名 | IPS12CN10LGBKMA1 |
上升时间 | 9 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 100 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
宽度 | 2.38 mm |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 69 A |
长度 | 6.73 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 11.8 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
身高 | 6.22 mm |
典型导通延迟时间 | 14 ns |
Pd - Power Dissipation | 125 W |
技术 | GaN |
IPS12CN10L G也可以通过以下分类找到
IPS12CN10L G相关搜索